現貨UNITEMP尤尼坦 真空工藝快速退火爐 RTP-100
非常適合原型開發應用在加熱區域的頂部和底部配備IR（紅外線）型加熱器，可實現最高溫度1200℃和1200K/秒的高速升溫。采用氮氣吹掃法的冷卻方法，可實現高達200K/min的溫降。 （400至100℃，此后30K/min。）觸摸屏用于輪廓程序控制。除了創建溫度控制、氣體流量 (MFC)、真空控制等配置文件程序外，您還可以保存過程數據。它可以加熱最大100x100mm或Φ100mm的物體。盡管桌面
非常適合原型開發應用
在加熱區域的頂部和底部配備IR（紅外線）型加熱器，可實現最高溫度1200℃和1200K/秒的高速升溫。采用氮氣吹掃法的冷卻方法，可實現高達200K/min的溫降。 （400至100℃，此后30K/min。）
觸摸屏用于輪廓程序控制。
除了創建溫度控制、氣體流量 (MFC)、真空控制等配置文件程序外，您還可以保存過程數據。
它可以加熱最大100x100mm或Φ100mm的物體。
盡管桌面尺寸可實現最高溫度1200℃的真空工藝快速加熱爐。
兼容氮氣吹掃、氧氣吹掃、合成氣（氫氣+氮氣）吹掃等。
由于工作區域是氣體保護的，因此可用于存在污染問題的工藝或其他關鍵工藝。
通過頂部和底部的18個IR(紅外線)加熱器20進行加熱，從而能夠準確且快速地加熱。
與適當的真空泵結合使用，可實現高達 0.1 Pa (10 -3 hPa)（HV 最大 10-6 hPa）的真空環境。
兼容氮氣吹掃法的溫度下降
標準配備觸摸屏顯示器。通過觸摸操作輕松操作
主機上最多可注冊50個50段（行）的溫度控制程序。
配備高速紅外線（IR）加熱器，每分鐘（200K/秒）最高可升溫12,000℃以上。當然，也可以以輪廓程序指定的任何速率升高溫度。另外，在降溫過程中，通過向腔室中供應冷卻氮氣，可以安全地進行冷卻，而不會損壞處理后的器件表面。
有效加熱面積為100x100x18mm，但通過使用可選的適配器，它可以支持Φ50mm和Φ75mm的晶圓。
標準配備1條質量流量控制器（MFC）氣體管線，可通過程序（物體）自由設定氣體流量并使用。總共可以添加4個氣體模塊，并且還可以使用質量流量控制器來控制氣體流量。
腔室外殼可承受高達 0.1 Pa (10-3 mbar)（HV 最大 10-6 hPa）的真空度，因此通過適當選擇要連接的真空泵，它也可以在高真空環境中使用。能。此外，該設備最重要的一點是它可以使用 IR（紅外）加熱器處理高達 70K/秒的高溫升溫速率。
配置文件程序由新型觸摸屏控制器精確控制。您可以在觸摸屏控制器（SPS控制器）上注冊最多50個最多50段（線）的程序，因此您可以通過簡單的操作調用并執行所需的加工程序。除了創建程序外，您還可以將執行過程的各種數據保存為 CSV 格式，因此您只需主機即可完成所有操作，而無需依賴外部 PC。