GaAs 霍爾傳感器F-1日本
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優點是靈敏度溫度系數小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途F-11.0tx4mm70 x 70 微米0-3T一般用途FS-
關于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優點是靈敏度溫度系數小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。
| 型號名稱 | 尖端尺寸 | 磁感受區 | 測量范圍 | 主要用途 |
| F-1 | 1.0tx4mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| FS-3 | 0.7tx3mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| FS-4 | 0.7tx2mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| FS-5 | 0.7tx3mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| FS-6 | 0.6tx1mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
| FS-7 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
| FS-8 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
| FS-301 | 0.7tx2mm | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場測量 |
| 主要規格項目 | F-1 |
| 主要用途 | 一般用途 |
| 霍爾元件 | 砷化鎵 |
| 元素數量 | 1件 |
| 測量范圍 | 0-3T |
| 工作溫度限制 | -20 至 + 60°C |
| 磁感受區 | 70 微米 x 70 微米 |
| 元件安裝件質量 | Bs（黃銅）玻璃環氧樹脂 |
| 尖端尺寸 | 1.0tx 4mm |
| 軸材料/形狀 | Bs（黃銅）/柔性型 |
| 處理材料質量 | 縮醛樹脂 |
| 電纜長度 | 3m（標準） |