GaAs 霍爾傳感器A-301 / A-301B日本
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
關于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb(銻化銦)、Si(硅)、InAs(砷化銦)、GaAs(砷化鎵)等,但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的,有時它的優點是靈敏度溫度系數小,相對于磁場強度的線性度好,高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs(砷化鎵)作為霍爾元件。
型號名稱 | 尖端尺寸 | 磁感受區 | 測量范圍 | 主要用途 |
A-1 | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
A-1S | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 用于系統測量 |
A-4 | φ3 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
A-5 | φ2.5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
A-6 | φ1.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
A-8 | φ2.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
A-301 | φ5 | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場測量 |
主要規格項目 | A-301 | A-301A | A-301B |
主要用途 | 用于微磁場測量 | ||
霍爾元件 | 砷化鎵 | ||
元素數量 | 1件 | ||
測量范圍 | 0-5T | ||
工作溫度限制 | -20 至 + 60°C | ||
磁感受區 | 30 微米 x 30 微米 | ||
軸徑 | φ3 | φ5 | |
軸材質 | 德爾林 | 銅(銅) | |
處理材料質量 | 縮醛樹脂 | 無把手 | 鋁(鋁) |
電纜長度 | 3m(標準) |