A-1 / A-1S探頭日本ADS艾迪斯
關于 GaAs 霍爾傳感器霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優點是靈敏度溫度系數小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。型號名稱尖端尺寸磁感受區測量范圍主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
關于 GaAs 霍爾傳感器
霍爾傳感器材料包括InSb（銻化銦）、Si（硅）、InAs（砷化銦）、GaAs（砷化鎵）等，但我們使用的GaAs霍爾傳感器是恒流工作的，有時它的優點是靈敏度溫度系數小，相對于磁場強度的線性度好，高頻特性優良。我們所有的探頭產品都使用這種 GaAs（砷化鎵）作為霍爾元件。
| 型號名稱 | 尖端尺寸 | 磁感受區 | 測量范圍 | 主要用途 |
| A-1 | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-1S | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 用于系統測量 |
| A-4 | φ3 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-5 | φ2.5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-6 | φ1.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 對于狹窄的間隙 |
| A-8 | φ2.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-301 | φ5 | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁場測量 |
| 主要規格項目 | A-1 | A-1S |
| 主要用途 | 一般用途 | 用于系統測量 |
| 霍爾元件 | 砷化鎵 | |
| 元素數量 | 1件 | |
| 測量范圍 | 0-3T | |
| 工作溫度限制 | -20 至 + 60°C | |
| 磁感受區 | 50 微米 x 50 微米 | |
| 元件安裝件質量 | 玻璃環氧樹脂 | |
| 軸徑 | φ5 | |
| 軸材質 | 銅（銅） | |
| 處理材料質量 | 縮醛樹脂 | 無把手 |
| 電纜長度 | 3m（標準） | |